FMUSER原裝全新MRF6VP2600H射頻功率晶體管MOSFET晶體管500MHz 600W橫向N溝道寬帶射頻晶體管-FFUSER FM / TV廣播一站式供應商

FMUSER全新的MRF6VP2600H射頻功率晶體管MOSFET晶體管500MHz 600W橫向N通道寬帶概述MRF6VP2600H主要設計用於頻率高達500 MHz的寬帶應用。設備無與倫比，適合在廣播應用中使用。功能*典型的DVB-T OFDM性能：VDD = 50伏，IDQ = 2600 mA，Pout =平均125瓦，f = 225 MHz，通道帶寬= 7.61 MHz，輸入信號PAR = 9.3 dB，CCDF概率為0.01％。功率增益：25 dB漏極效率：28.5。MHz時ACPR為4％偏移：61 kHz帶寬時–4 dBc *典型脈衝性能：VDD = 50伏，IDQ = 2600 mA，Pout = 600瓦峰值，f = 225 MHz，脈衝寬度= 100

詳情

以前：FMUSER原裝全新MRFE6VP61K25H射頻功率晶體管大功率MOSFET晶體管LDMOS用於1000w FM發射器

下一個：FMUSER原裝全新BLF178XR射頻功率晶體管功率MOSFET晶體管LDMOS 1400W HF-128MHz

價格（USD）	數量（PCS）	航運（USD）	總計（美元）	郵寄方式	付款方式
245	1	35	280	DHL
				DHL

FMUSER原裝全新MRF6VP2600H 射頻功率晶體管 MOSFET晶體管500MHz 600W橫向N通道寬帶

概述

MRF6VP2600H主要用於頻率高達500 MHz的寬帶應用。設備無與倫比，適用於廣播應用。

功能

* 典型的DVB-T OFDM性能：VDD = 50伏，IDQ = 2600 mA，Pout = 125瓦平均，f = 225 MHz，通道帶寬= 7.61 MHz，輸入信號PAR = 9.3 dB @ CCDF概率為0.01％。：25 dB漏極效率：28.5％ACPR @ 4 MHz偏移：–61 dBc @ 4 kHz帶寬

* 典型脈衝性能：VDD = 50伏，IDQ = 2600 mA，Pout = 600瓦峰值，f = 225 MHz，脈衝寬度= 100 µsec，佔空比= 20％功率增益：25.3 dB漏極效率：59％

* 能夠處理10：1 VSWR，@ 50 Vdc，225 MHz，600瓦特峰值功率，脈衝寬度=100μsec，佔空比= 20％

* 用系列等效大信號阻抗參數表徵

* 具有充分冷卻的CW操作能力

* 合格，最多50個VDD操作

* 集成ESD保護

* 專為推拉操作而設計

* 用於改進C類操作的更大的負柵極電壓範圍

* 符合RoHS

* 在磁帶和捲軸。 R6後綴=每150 mm 56單位，13英寸捲軸。

規範

頻率（最小值）（MHz）：2

頻率（最大值）（MHz）：500

電源電壓（典型值）（V）：50

P1dB（典型值）（dBm）：57.8

P1dB（典型值）（W）：600

輸出功率（典型值）（W）@測試信號的互調電平：125.0 @ AVG

測試信號：OFDM

功率增益（典型值）（dB）@ f（MHz）：25.0 @ 225

效率（典型值）（％）：28.5

熱阻（規格）（℃/ W）：0.2

匹配：無與倫比

分類：AB

模具技術：LDMOS

價格（USD）	數量（PCS）	航運（USD）	總計（美元）	郵寄方式	付款方式
245	1	35	280	DHL
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