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FUMSER原裝MRF154射頻金屬氧化物半導體場效應晶體管
FUMSER原裝MRF154射頻金屬氧化物半導體場效應晶體管描述：-產品類別：RF金屬氧化物半導體場效應（RF MOSFET）晶體管-晶體管極性：N溝道-技術：Si --Id連續漏極電流： 60 A --Vds-漏源擊穿電壓：125 V-增益：17 dB-輸出功率：600 W-最低工作溫度：-65 C-最高工作溫度：+ 150 C-包裝/盒：368-3-配置：單-工作頻率：80 MHz-類型：RF功率MOSFET-商標：MACOM --Pd功耗：1.35 kW-產品類型：RF MOSFET晶體管-工廠包裝數量：1-子類別：MOSFET --Vgs柵極-源極電壓：40 V --Vgs閘極
詳情
| 價格（USD） | 數量（PCS） | 航運（USD） | 總計（美元） | 郵寄方式 | 付款方式 |
| 159 | 1 | 0 | 159 | DHL |
FUMSER原裝MRF154射頻金屬氧化物半導體場效應晶體管
產品描述:
-晶體管極性：N溝道
-技術：矽
--Id連續漏極電流：60 A
--Vds-漏源擊穿電壓：125 V
-增益：17 dB
-輸出功率：600瓦
-最低工作溫度：-65 C
-最高工作溫度：+ 150 C
-包裝/盒：368-3
-配置：單
-工作頻率：80 MHz
-類型：射頻功率MOSFET
-商標：MACOM
--Pd功耗：1.35 kW
-產品類型：RF MOSFET晶體管
-工廠包裝數量：1
-子類別：MOSFET
--Vgs柵極-源極電壓：40 V
--Vgs柵極-源極閾值電壓：3 V
-單位重量：122.795克
功能
--N通道增強模式MOSFET
-額定50伏特，30 MHz特性-輸出功率= 600瓦，功率增益= 17 dB（典型值），效率= 45％（典型值）
-最低頻率：2 MHz
-最大頻率：100 MHz
-輸出：600 W
-增益：17 dB
-效率：45％
應用：
-航空航天與國防
- 主義
包裹包括：
1 * MRF154晶體管
| 價格（USD） | 數量（PCS） | 航運（USD） | 總計（美元） | 郵寄方式 | 付款方式 |
| 159 | 1 | 0 | 159 | DHL |
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