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BLF878射頻功率MOSFET晶體管
BLF878射頻功率MOSFET晶體管描述一種300 W LDMOS射頻功率晶體管，用於廣播發射機應用和工業應用。 該晶體管可以在300 MHz至470 MHz的整個UHF頻帶上提供860 W寬帶。 該設備出色的耐用性和寬帶性能使其非常適合數字發射機應用。 symbol參數●頻率範圍= 470至860MHz●PL（1dB）標稱輸出功率，增益壓縮1W 300W●測試信號：CW●PL（PEP）輸出功率300 W●Gp功率增益VDS = 42 V； f1 = 860 MHz; f2 = 860.1 MHz; PL（PEP）= 300 W 18 21 dB特性和優點●出色的耐用性●高功率增益●出色的可靠性●高效率●效率高
詳情
| 價格（USD） | 數量（PCS） | 航運（USD） | 總計（美元） | 郵寄方式 | 付款方式 |
| 226 | 1 | 0 | 226 | DHL |
BLF878射頻功率MOSFET晶體管
產品描述
用於廣播發射機應用和工業應用的300 W LDMOS RF功率晶體管。 該晶體管可以在300 MHz至470 MHz的整個UHF頻帶上提供860 W寬帶。 該設備出色的耐用性和寬帶性能使其非常適合數字發射機應用.符號 參數
●range 頻帶 =470至860MHz
●PL(1分貝) 1 dB增益壓縮時的標稱輸出功率300W
●測試信號：CW
●PL（PEP） 輸出功率 300 W
●Gp 功率增益 VDS = 42 V； f1 = 860 MHz; f2 = 860.1 MHz; PL（PEP）= 300瓦 18 21 dB
●出色的耐用性
●高功率增益
●出色的可靠性
●高效率
●良好的熱穩定性
●簡單的功率控制
●集成ESD保護
●內部輸入和輸出匹配
●先進的法蘭材料可實現最佳的熱性能和可靠性
●符合關於有害物質限制的指令 2002/95/EC
應用
●UHF頻段的通信發射機應用●UHF頻段的工業應用
包裝包括
1x BLF878 RF晶體管
| 價格（USD） | 數量（PCS） | 航運（USD） | 總計（美元） | 郵寄方式 | 付款方式 |
| 226 | 1 | 0 | 226 | DHL |
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