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MRFE6VP5300N射頻功率MOSFET晶體管

 MRFE6VP5300N射頻功率MOSFET晶體管描述MRFE6VP5300NR1和MRFE6VP5300GNR1這些高耐用性器件設計用於高VSWR工業(包括激光和等離子體激勵器),廣播(模擬和數字),航空航天和無線電/陸地移動應用。 它們是無與倫比的輸入和輸出設計,允許在1.8至600 MHz之間的寬頻率範圍利用。 特性●寬工作頻率範圍●極端堅固性●無與倫比的輸入和輸出,允許寬頻率範圍使用●集成的穩定性增強功能●低熱阻●集成的ESD保護電路●符合RoHS要求●捲帶包裝。 R1後綴= 500單位,44毫米膠帶寬度,13英寸捲盤。 關鍵參數

詳情

價格(USD) 數量(PCS) 航運(USD) 總計(美元) 郵寄方式 付款方式
135 1 0 135 DHL

 



 MRFE6VP5300N  射頻功率MOSFET晶體管


產品描述

這些高耐用性設備MRFE6VP5300NR1和MRFE6VP5300GNR1設計用於高VSWR工業(包括激光和等離子體激勵器),廣播(模擬和數字),航空航天和無線電/陸地移動應用。 它們是無與倫比的輸入和輸出設計,可實現1.8至600 MHz的寬頻率範圍利用。

功能
寬工作頻率範圍
極端堅固
無與倫比的輸入和輸出,可實現寬頻率範圍的利用
綜合穩定性增強
低熱阻
集成式ESD保護電路
符合RoHS
在磁帶和捲軸。 R1後綴= 500單位,44毫米帶寬,13英寸捲軸。

關鍵參數
頻率(最小值)1.8(MHz)
頻率(最大)600(MHz)
電源電壓(Typ)50(V)
P1dB(典型值)54.8(dBm)
P1dB(典型值)300(W)
輸出功率(典型值)(W)@測試信號300.0 @ CW時的互調電平
測試信號連續波
功率增益(典型值)25.0 @ 230(dB)@ f(MHz)
效率(典型值)70(%)

熱阻(規格)0.22(℃/ W)




套餐包括

1x MRFE6VP5300N   RF晶體管



 

 

價格(USD) 數量(PCS) 航運(USD) 總計(美元) 郵寄方式 付款方式
135 1 0 135 DHL

 

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