FMUSER全新MRF6VP11KH射頻功率晶體管功率MOSFET晶體管-RF晶體管-FMUSER FM / TV廣播一站式供應商

FMUSER原裝全新MRF6VP11KH射頻功率晶體管功率MOSFET晶體管FMUSER MRF6VP11KHR6主要設計用於頻率高達150 MHz的脈衝寬帶應用。該設備無與倫比，適用於工業，醫療和科學應用。在130 MHz時具有典型的脈衝性能：VDD = 50伏，IDQ = 150 mA，Pout = 1000瓦峰值（平均200 W），脈衝寬度= 100 µsec，佔空比= 20％功率增益：26 dB漏極效率：71能夠處理10：1 VSWR，@ 50 Vdc，130 MHz，1000瓦的峰值功率，具有等效的串聯等效大信號阻抗參數，具有足夠的冷卻能力，具有CW的操作能力，合格的冷卻能力高達50 VDD，集成了ESD保護

詳情

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FMUSER原裝全新MRF6VP11KH射頻功率晶體管功率MOSFET晶體管

FMUSER MRF6VP11KHR6主要設計用於頻率高達150 MHz的脈衝寬帶應用。該設備無與倫比，適用於工業，醫療和科學應用。

功能

130 MHz時的典型脈衝性能：VDD = 50伏，IDQ = 150 mA，Pout = 1000瓦峰值（平均200 W），脈衝寬度= 100 µsec，佔空比= 20％
功率增益：26 dB
漏極效率：71％
能夠處理10：1 VSWR，@ 50 Vdc，130 MHz，1000瓦特峰值功率
表徵串聯等效大信號阻抗參數
具有充分冷卻的CW操作能力
合格最多50 VDD操作
集成ESD保護
專為推拉操作而設計
用於改進C類操作的更大的負柵極電壓範圍
符合RoHS
在捲帶中。 R6後綴=每150毫米56英寸捲軸13個單位

規範

晶體管類型：LDMOS
技術：矽
應用行業：ISM，廣播
應用：科學，醫學
順時針/脈衝：順時針
頻率：1.8至150 MHz
功率：53.01 dBm
功率（瓦）：199.99 W
P1dB的：60.57dBm
峰值輸出功率：1000 W
脈衝寬度：100 us
佔空比：0.2
功率增益（Gp）：24至26 dB
輸入回波：損失：-16至-9 dB
駐波比：10.00：1
極性：N通道
電源電壓：50 V
閾值電壓：1至3 Vdc
擊穿電壓-漏源：110 V
電壓-柵極-源極：（Vgs）：-6至10 Vdc
排水效率：0.71
漏極電流：150 mA
阻抗Zs：50歐姆
熱阻：0.03°C / W
包裝：類型：法蘭
包裝：CASE375D--05樣式1 NI--1230--4
符合RoHS：是
工作溫度：150攝氏度
儲存溫度：-65至150攝氏度