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FMUSER全新MRF6V2150NB SMD射頻功率晶體管管高頻管功率放大模塊功率MOSFET晶體管

FMUSER全新MRF6V2150NB SMD射頻功率晶體管管高頻管功率放大模塊功率MOSFET晶體管FMUSER全新MRF6V2150NB射頻功率晶體管管功率MOSFET管主要設計用於頻率高達450 MHz的寬帶大信號輸出和驅動器應用。 器件無與倫比,適合在工業,醫療和科研應用中使用產品詳細信息:零件編號:MRF6V2150NB說明:橫向N通道單端寬帶射頻功率MOSFET,10-450 MHz,150 W,50 V特性:典型的CW性能在220 MHz時:VDD = 50伏,IDQ = 450 mA,Pout = 150瓦功率

詳情

價格(USD) 數量(PCS) 航運(USD) 總計(美元) 郵寄方式 付款方式
89 1 0 89 航空運輸

 



FMUSER原裝全新MRF6V2150NB SMD RF P下晶體管管高頻管功率放大模塊功率MOSFET晶體管






FMUSER原裝全新MRF6V2150NB 射頻功率晶體管功率MOSFET晶體管d主要為寬帶大信號輸出和驅動器應用而設計頻率高達450 MHz。 設備無與倫比,適用於用於工業,醫學和科學應用



產品詳細說明:


P貨號:MRF6V2150NB

描述:橫向N通道單端寬帶RF功率MOSFET,10-450 MHz,150 W,50 V



功能


220 MHz時的典型CW性能:VDD = 50伏,IDQ = 450 mA,Pout = 150瓦
功率增益:25.5 dB
排污效率:69%
能夠處理10:1 VSWR,@ 50 Vdc,210 MHz,150瓦輸出功率
集成ESD保護
優良的熱穩定性
促進手動增益控制,ALC和調製技術
225°C的塑料封裝
符合RoHS



通用參數:


晶體管類型:LDMOS
技術:矽
應用行業:ISM,廣播
應用:科學,醫學
順時針/脈衝:順時針
頻率:10至450 MHz
功率:51.76 dBm
功率(瓦):149.97 W
連續功率:150 W
功率增益(Gp):23.5至26.5 dB
輸入回波損耗:-17至-3 dB
駐波比:10.00:1
極性:N通道
電源電壓:50 V
閾值電壓:1至3 Vdc
擊穿電壓-漏源:110 V
電壓-柵極-源極(Vgs):-0.5至12 Vdc
排水效率:0.683
漏極電流:450 mA
阻抗Zs:50歐姆
熱阻:0.24°C / W
包裝類型:法蘭
包裝:案例1484--04,樣式1至--272 WB--4塑料
符合RoHS:是
工作溫度:150攝氏度

儲存溫度:-65至150度 



包裹包括:
1x
MRF6V2150NB 射頻功率晶體管



 

 

價格(USD) 數量(PCS) 航運(USD) 總計(美元) 郵寄方式 付款方式
89 1 0 89 航空運輸

 

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