典型的高精度運算放大器（運放）可能不得不1MHz增益帶寬積。在理論上，用戶可能期望GHz的RF信號衰減水平到很低的水平，因為它們已經遠遠超出放大器的帶寬。然而，現實情況並非如此。事實上，它包括在所述放大器的靜電放電（ESD）二極管，輸入結構，並在放大器到RF信號的輸入其他非線性元件“整流”。在實際意義上，RF信號被轉換成直流（DC）偏置電壓，所述DC偏移的放大器的輸入偏置電壓加入電壓。

用戶可能會問：“對於由直流產生一個給定的RF信號的偏移電壓，如何確定它的大小？” 事實上，放大器到RF干擾的靈敏度取決於放大器是否用在設計和技術。例如，許多現代放大器具有內置的RF濾波器，可以減少這種問題的可能性。該過濾器為低增益帶寬的運算放大器是最有效的，因為濾波器的截止頻率可以設置為一個較低的頻率，從而可以提供更高的RF信號的衰減係數。此外，多項技術產品具有更強的內部RF免疫力。例如，相對於雙極型器件，大部分互補金屬氧化物半導體（CMOS）器件的具有更強的抗RF干擾。輸入級設計等其他因素也可能影響RF免疫力。

考慮到所有這些因素，董事會和系統級設計如何選擇放大器應該回答是：？取決於電磁干擾抑制比（EMIRR）。的技術指標是相似的PSRR和CMRR，由於在放大器的輸入端的影響它轉換的RF干擾的DC偏移電壓。作為一個例子，圖1顯示EMIRR曲線OPA333。可以注意到，從曲線圖中，當頻率1000MHz當運算放大器具有EMIRR的120dB。這是抑制的非常高的水平，以便直接曲線的曲線進行比較與其它設備成為可能。

當使用OPA333 EMIRR IN +和頻率相比，示例

EMIRR曲線示出了運算放大器對RF信號進行（該信號被施加到非反相輸入）干擾測量值的能力。術語“傳導”是指RF信號被直接施加到利用運算放大器輸入的阻抗匹配類型的印刷電路板（PCB）的。此外，反射放大器的輸入進行表徵和描述。

最後，用數字萬用表測量由DC產生的RF信號的偏移電壓。請注意，放大器和使用低通濾波器，以防止由於殘留的RF信號的潛在錯誤的萬用表之間穿過而引起的放大器。圖2示出了用於表徵EMIRR測試電路。

方程（1）和（2）給出數學定義EMIRR。兩個方程相互復位版本。方程（1）示出了與RF信號之間的偏移電壓變化的關係。注意，造成所用的RF信號的平方的偏移電壓的變化。這意味著增加了輸入RF信號的幅度是小的，可能導致在偏置電壓的顯著增加。還請注意，術語的作用是減少EMIRR RF信號的影響; 換句話說，較大EMIRR（分貝）可以顯著降低偏移電壓。方程（2）被用來計算在該方法的特徵方程式的形式EMIRR（分貝）。

其中

EMIRR（分貝） - 電磁干擾測量是從（單位為dB）的RF信號抑制比進行被施加到放大器的非反相輸入

| △沃斯| - 被偏移電壓的確定的變化（由RF干擾引起）

VRF_PEAK - 被施加到放大器的峰值RF干擾非反相輸入

最後，請注意，許多其他因素，如PCB佈局和屏蔽，也可能影響RF抑制用戶的系統。然而，一旦以優化這些因素的設計的用戶，使用該放大器能夠以良好EMIRR最佳性能來實現的。另外，用戶不需要進行任何複雜的計算。只有EMIRR曲線

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