FMUSER全新原裝MRFE6VP5600H射頻功率晶體管功率MOSFET晶體管，用於600w FM發射器-RF晶體管-FMUSER FM / TV廣播一站式供應商

FMUSER全新原裝MRFE6VP5600H射頻功率晶體管功率MOSFET晶體管，用於600w FM發射器概述：這些高耐用性器件MRFE6VP5600HR6和MRFE6VP5600HSR6設計用於高VSWR工業（包括激光和等離子體激勵器），廣播（模擬和數字），航空航天和無線電/陸地移動應用。它們是無與倫比的輸入和輸出設計，可實現1.8至600 MHz的寬頻率範圍利用率。特點：*無與倫比的輸入和輸出允許寬頻率範圍的利用。 *該設備可以單端或推挽配置使用。 *合格，最多50個VDD操作。 *字符

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FMUSER原裝全新MRFE6VP5600H射頻功率晶體管600w FM發射器的功率MOSFET晶體管

概述：

這些高耐用性設備MRFE6VP5600HR6和MRFE6VP5600HSR6設計用於高VSWR工業（包括激光和等離子體激勵器），廣播（模擬和數字），航空航天和無線電/陸地移動應用。它們是無與倫比的輸入和輸出設計，可實現1.8至600 MHz的寬頻率範圍利用率。

功能
*無與倫比的輸入和輸出允許寬頻率範圍的利用。
* 該設備可以單端或推挽配置使用。
* 符合Maximu資格50 VDD操作中的m。
* 具有30 V至50 V的特性，可擴展功率範圍。
* 適用於帶有適當偏置的線性應用。
* 具有更大負柵源電壓範圍的集成式ESD保護，可改善C類操作。
* 用串聯等效大信號阻抗參數表徵。
* 符合RoHS。
* 在磁帶和捲軸。 R6後綴= 150單位，56 mm磁帶寬度，13英寸捲軸。
* 這些產品包含在我們的產品長壽計劃中，保證在發布後至少15的時間內供貨。

關鍵參數：

頻率（最小值）（MHz）	1.8
頻率（最大）（MHz）	600
供電電壓（典型值）（V）	50
P1dB（典型值）（dBm）	57.8
P1dB（典型值）（W）	600
輸出功率（典型值）（W）@測試信號的互調電平	600.0 @連續波
測試信號	一色
功率增益（Typ）（dB）@ f（MHz）	24.6 @ 230
效率（典型值）（％）	75.2
熱阻（規格）（℃/ W）	0.12
課程	AB
匹配	獨一無二
模具技術	LDMOS

射頻性能表：
230 MHz窄帶
典型性能：VDD = 50 V，IDQ = 100 mA

信號類型	Pout（W）	f（兆赫）	Gps（分貝）	ηD（％）	IRL（dB）
脈衝（100 µsec，20％佔空比）	600山頂	230	25.0	74.6	-18
CW	600平均	230	24.6	75.2	-17