FMUSER原始MRF151 To-59高頻管150 W，50 V，175 MHz N通道寬帶MOSFET RF功率場效應晶體管-RF晶體管-FMUSER FM / TV廣播一站式供應商

FMUSER原始MRF151 To-59高頻管150 W，50 V，175 MHz N通道寬帶MOSFET RF功率場效應晶體管概述MRF系列器件是高性能1MHz至3.5GHz雙極RF晶體管。這些Tech雙極晶體管非常適合航空電子，通信，雷達以及工業，科學和醫學應用。 MRF系列設備是廣泛的RF功率晶體管的一部分，該功率晶體管還包括托盤放大器，TMOS和DMOS晶體管以及LDMOS晶體管。功能●在30 MHz，50 V時保證的性能：●輸出功率— 150 W●增益— 18 dB（典型值為22 dB）●效率— 40％●在175 MHz，50 V時的典型性能：●Ou

詳情

以前：FMUSER原裝全新SD2932射頻功率晶體管大功率增益50V MOSFET晶體管

下一個：FMUSER原始SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFET N溝道MOS場效應寬帶射頻功率場效應晶體管

價格（USD）	數量（PCS）	航運（USD）	總計（美元）	郵寄方式	付款方式
149	1	0	149	DHL
				DHL

FMUSER原裝MRF151 To-59高頻管

150 W，50 V，175 MHz N通道寬帶MOSFET RF功率場效應晶體管

概述

MRF系列器件是高性能1MHz至3.5GHz雙極RF晶體管。這些Tech雙極晶體管非常適合航空電子，通信，雷達以及工業，科學和醫學應用。 MRF系列器件是各種RF功率晶體管的一部分，其中還包括托盤放大器，TMOS和DMOS晶體管以及LDMOS晶體管。

功能

●30 MHz，50 V時的保證性能：
● 輸出功率 - 150W¯¯
● 增益 - 18分貝（dB的22典型值）
● 效率 - 40％
● 175 MHz，50 V時的典型性能：
● 輸出功率 - 150W¯¯
● 增益 - 13分貝

● 低熱阻
● 在額定輸出功率下進行的堅固性測試
● 氮化物鈍化模，增強了可靠性

產品描述

RF MOSFET晶體管5-175MHz 150Watts 50Volt增益18dB。設計用於頻率為175 MHz的寬帶商業和軍事應用。該設備的高功率，高增益和寬帶性能使其成為用於FM廣播或TV頻道頻段的固態發射機成為可能。

規範

● 產品分類：射頻MOSFET晶體管
● 晶體管極性： N溝道
● Id-連續漏極電流： 16A
● Vds-漏源擊穿電壓： 125V
● 增益： 13 db
● 輸出功率： 150W¯¯
● 最低工作溫度： -65攝氏度
● 最高工作溫度： + 150攝氏度
● 安裝方式：貼片/貼片
● 包裝/箱： 221-11-3
● 包裝：托盤
● 組態： Single
● 運行頻率： 175 MHz
● Pd-功耗： 300W¯¯
● 產品類型：射頻MOSFET晶體管
● 工廠包裝數量： 20
● 子類別： MOSFET的
● Vgs-柵極-源極電壓： 40V
● Vgs th-柵源閾值電壓： 3V