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FMUSER MRFE6VP5150N射頻功率LDMOS晶體管高強度N溝道增強型模式橫向MOSFET晶體管
FMUSER MRFE6VP5150N射頻功率LDMOS晶體管高強度N通道增強模式橫向MOSFET晶體管描述這些高強度器件設計用於高VSWR工業（包括激光和等離子體激勵器），廣播（模擬和數字），航空和無線電/陸地移動應用程序。 它們是無與倫比的輸入和輸出設計，可實現1.8至600 MHz的寬頻率範圍利用率。 典型性能：VDD = 50 Vdc參數值●頻率（最小）（MHz）：1.8●頻率（最大）（MHz）：600●電源電壓（典型值）（V）：50●P1dB（典型值）（dBm）：51.8 ●P1dB（典型值）（W）：150●輸出功率（典型值）（W）@測試信號的互調電平：CW @
詳情
| 價格（USD） | 數量（PCS） | 航運（USD） | 總計（美元） | 郵寄方式 | 付款方式 |
| 126 | 1 | 0 | 126 | DHL |
FMUSER MRFE6VP5150N射頻功率LDMOS晶體管高強度N溝道增強模式橫向MOSFET晶體管
產品描述
這些高耐用性設備設計用於高VSWR 工業（包括激光和等離子體激勵器），廣播（模擬和數字）， 航空航天和無線電/陸地移動應用。 它們是無與倫比的輸入， 輸出設計可在1.8至 600 MHz。
典型性能：VDD = 50 Vdc
參數 值
●頻率（最小值）（MHz）： 1.8
● 頻率（最大）（MHz）： 600
● 電源電壓（典型值）（V）： 50
● P1dB（典型值）（dBm）： 51.8
● P1dB（典型值）（W）： 150
● 測試信號的互調電平下的輸出功率（典型值）（W）： 連續波@ 150.0
● 測試信號： CW
● 功率增益（典型值）（dB）@ f（MHz）： 230 @ 26.3
● 效率（典型值）（％）： 72
● 熱阻（規格）（℃/ W）： 0.21
● 匹配： 獨一無二
● 時間: AB
● 模具技術： LDMOS
在捲帶中。 R1後綴= 500單位，44毫米膠帶寬度，13英寸捲盤
如果您想購買任何FM / TV設備進行廣播，請隨時通過電子郵件與我們聯繫： [電子郵件保護].
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