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FMUSER原裝MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF功率晶體管功率MOSFET晶體管N溝道

FMUSER原始MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W射頻功率晶體管功率MOSFET晶體管N通道特性:●部件號MRF173CQ●說明FET RF 65V 150MHZ 316-01●詳細說明RF Mosfet N通道28V 50mA 150MHz 13dB 80W 316-01,樣式2 ●數據表MRF173CQ●環境信息RoHS認證●HTML數據表MRF173CQ描述:●包裝:托盤●部件狀態:有效●晶體管類型:N通道●頻率:150MHz●增益:13dB●電壓-測試:28V●額定電流(安培) :9A●噪聲係數:1.5dB●電流-測試:50mA●功率-輸出:80W●伏特

詳情

價格(USD) 數量(PCS) 航運(USD) 總計(美元) 郵寄方式 付款方式
79 1 0 79 航空運輸

 

FMUSER原裝MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF功率晶體管功率MOSFET晶體管N溝道




功能

● 零件號 MRF173CQ

● 產品描述 場效應管RF 65V 150MHZ 316-01
● 詳細說明 RF Mosfet N通道28V 50mA 150MHz 13dB 80W 316-01,類型2
● 產品規格書 MRF173CQ

● 環境信息 RoHS證書

● HTML數據表 MRF173CQ


描述:
● 包裝 :紙盤
● 零件狀態: 活性
● 晶體管類型: N溝道
● 頻率: 150MHz
● 增益: 13dB
● 電壓 - 測試:28V
● 額定電流(安培):9A
● 噪聲係數:1.5dB
● 電流 - 測試:50mA
● 功率 - 輸出:80W
● 電壓 - 額定值:65V

 

應用:

專為高達200 MHz頻率範圍的寬帶商業和軍事應用而設計。 該器件的高功率,高增益和寬帶性能使其成為用於FM廣播或TV頻道頻段的固態發射機,N信道增強模式MOSFET



參數:
N通道增強模式MOSFET
●保證在150 MHz,28 V下的性能:
輸出功率= 80瓦
增益= 11 dB(典型值為13 dB)
效率= 55%(最小值) (典型值60%)
●低熱阻
●在額定輸出功率下進行了堅固性測試
●氮化鈍化增強
●ed可靠性
●低噪聲係數— 1.5 dB典型值。 在2.0 A,150 MHz下

●優異的熱穩定性; 適用於A級操作
















 

 

價格(USD) 數量(PCS) 航運(USD) 總計(美元) 郵寄方式 付款方式
79 1 0 79 航空運輸

 

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