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FMUSER原始SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFET N溝道MOS場效應寬帶射頻功率場效應晶體管

FMUSER原始SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFET N溝道MOS場效應寬帶射頻功率場效應晶體管說明SD2941-10是金金屬化N溝道MOS場效應射頻功率晶體管,旨在用於高達28 MHz的50 V至230 V dc直流大信號應用。 它的RDS(on)比行業標準低25%,而PSAT比ST的SD20-2931器件高10%。 SD2941-10封裝在低熱M174非底座封裝中,熱阻比行業標準低25%,因此使其成為ISM應用的“同類最佳”晶體管,其中可靠性和堅固性是關鍵因素。 規範

詳情

價格(USD) 數量(PCS) 航運(USD) 總計(美元) 郵寄方式 付款方式
79 1 0 79 航空郵件

 


FMUSER原稿 SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFET N溝道 MOS場效應 寬帶 射頻功率場效應 晶體管

產品描述
SD2941-10是金金屬化N通道 MOS場效應RF功率晶體管,用於 在28 V至50 V直流大信號應用中使用 至230 MHz 與RDS(on)相比,它的RDS(on)低25% 行業標準,PSAT比20%高 ST的SD2931-10器件。 SD2941-10是 置於低熱量的M174非底座中 封裝,熱阻降低25% 超過行業標準,因此使其成為 適用於ISM應用的“同類最佳”晶體管, 可靠性和堅固性至關重要的地方 因素。


產品規格

 產品類別:RF MOSFET晶體管
 晶體管極性:N溝道
 Id-連續漏極電流:20 A
 Vds-漏源擊穿電壓:130 V
 增益:15.8 dB
 輸出功率:175 W
 最低工作溫度:-65 C
 最高工作溫度:+ 150 C
 安裝方式:SMD / SMT
 包裝/箱:M174
 包裝:散裝
 配置:單
 高度:7.11毫米
 長度:24.89毫米
 工作頻率:230 MHz
 系列號:SD2941
 類型:射頻功率MOSFET
 寬度:12.83毫米
 正向跨導-最小值:6 S
 頻道模式:增強
 Pd-耗散功率:389 W
 產品類型:RF MOSFET晶體管
 工廠裝箱數量:25
 子類別:MOSFET
 Vgs-柵源電壓:20 V


功能
 金金屬化
 優良的熱穩定性
 通用源配置
 POUT =最小175 W 增益為15 dB @ 175
兆赫,50 V
 POUT = 135 W(典型值) 在14 MHz時具有123 dB的增益,
28V
 低RDS(on)
 熱增強包裝,降低包裝成本
 結溫
 符合2002/95 / EC1歐洲標準
指示


 

 

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